SK海力士將擴大HBE生產設施投資,對通過硅通孔(TSV)相關的設施投資將比2023年增加一倍以上,力圖將產能翻倍,并計劃在2024年上半年開始生產其第五代高帶寬內存產品HBM3E,以應對高性能AI產品需求的增加。
消息顯示,韓國半導體制造商SK海力士(SK hynix Inc.)將擴大其高帶寬內存(High Bandwidth Memory)生產設施投資,以應對高性能AI產品需求的增加。該公司計劃,對通過硅通孔(TSV)相關的設施投資將比2023年增加一倍以上,力圖將產能翻倍,并計劃在2024年上半年開始生產其第五代高帶寬內存產品HBM3E。
SK海力士財報顯示,該公司第四財季實現了1131萬億韓元(約84.6億美元)的營收和3460億韓元(約2.59億美元)的運營利潤,這標志著該公司連續五個季度營業虧損后再度轉為盈利。
SK海力士扭虧為盈主要歸因于HBM3(High Bandwidth Memory 3)和DDR5(Double Data Rate 5)的強勁銷售。與上一年相比,SK海力士在2023年的DDR5和HBM3銷售額分別增加了四倍和五倍以上。為了繼續這一上升趨勢,SK海力士計劃開始大規模生產人工智能芯片HBM3E,并加快第六代HBM4的開發。
“我們預計HBM3E產品在2024年將會有巨大的需求,計劃在年初開始大規模生產。我們打算根據這一需求將TSV產能翻倍,”公司在一次電話會議中表示。關于是否追加投資,公司還表達了更謹慎的立場,“要等經過對長期需求、市場條件和供應鏈狀況的慎重考慮后再做決定?!?/p>
SK海力士計劃準備生產MCRDIMM和LPCAMM2,前者是一種將多個DRAM集成到一個基板上的高容量服務器模塊,后者是一種基于低功耗(LP) DDR5X的高性能移動模塊,二者旨在滿足AI服務器需求和設備端AI市場。
在專注于生產高附加值產品的同時,SK海力士計劃將資本支出的增長最小化,強調穩定的業務運營?!芭c上一年相比,我們將投資削減了一半以上,以應對需求疲軟的情況。我們在2024年的策略是保持謹慎的態度,專注于確保增長和盈利的領域,同時避免增加投資導致進入供應過剩的周期。”首席財務官金宇賢表示。
SK海力士解釋說,自從2023年第三季度以,該公司來一直保持謹慎的生產策略,包括減產,導致銷售超過了生產,隨后改善了庫存水平?!拔覀儗⒗^續保持謹慎的生產策略,直到2024年實現庫存正常化,同時預計DRAM的產量將在上半年保持穩定,NAND閃存的產量將在下半年保持穩定,”該公司表示。
分析師預計,該芯片制造商2024年的的運營利潤將10萬億韓元(約合88.5億美元)。還有分析師預計該公司2024年運營利潤將達到10.6萬億韓元(約合94.2億美元),分析師認為,主要因為人工智能芯片需求預計將增加。
自2023年年初以來,SK海力士股價因其AI能力上漲近50%。
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